DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA (ESH1JM RSG)

Part Number: ESH1JM RSG

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип диода: Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
  • Прямой ток (If) (Max): 1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.5V @ 1A
  • Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 25ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 600V
  • Емкость @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 2-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса: Micro SMA
  • Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C

Цена по запросу